Información Básica.
No. de Modelo.
ITO 90: 10 wt%
Paquete de Transporte
vacío caja de madera
Especificación
personalización de dibujos
Origen
China
Capacidad de Producción
50000 piezas/año
Descripción de Producto
Propiedades físicas
Característica 1. Óxido de estaño indio (ITO o dopada con óxido de estaño indio) es una solución sólida de óxido de indio (III) (A2O3) y (IV) el óxido de estaño (SnO2), normalmente un 90% en2O3, el 10% SnO2 por peso. 2. Óxido de estaño indio es una de las más utilizadas de óxidos de conductor transparente. 3. Su jefe de dos propiedades: su conductividad eléctrica y la transparencia óptica, así como la facilidad con la Lo que puede ser depositado como una fina película. Nuestros productos han pasado la certificación de los clientes de Estados Unidos, Suecia, Alemania, Francia, Taiwán y el mercado interno. descripción de producto Yeke se compromete a proporcionar a los clientes con un rendimiento estable y de alta calidad objetivo de ITO, mediante el uso de 4N5 lingote coprecipitation indio y a producir ITO nano en polvo.según las necesidades de los usuarios, la composición del control de la tolerancia de +/- 0,5 wt %, y la tolerancia dimensional control en +/- 0,1 mm de espesor, oscila entre 3 a 14 mm. Composición:In2O3/SnO2= 90/10;97/3 ; 95/5 El parámetro de rendimiento: Densidad:>99,5% Pureza:>99,99%. La resistividad: ¤1.8×10-4Ω·cm. Tamaño de una sola pieza: 600x500mm Los atributos de los productos de cerámica de meta
descripción de producto 1. Nombre: de 99.99% ITO Sputtering meta de óxido de estaño indio para recubrimiento de película fina 2. Tamaño: 1-8pulgadas, como solicitud 3. Pureza: 99,99%. 4. Certificación: ISO9001, SGS, CTI, RoHS
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El nombre del elemento | ITO blanco de Sputtering meta de cerámica de recubrimiento de película fina |
La forma | Square/Redondo, de acuerdo a su solicitud |
Tamaño disponible | Redondo: dia 25~250mm Rectangulares: longitud de hasta 1500mm La personalización está disponible |
Los certificados | ISO9001:2008, SGS,el tercer informe de ensayo |
Technics | Pulvimetalurgia |
Aplicación | Ampliamente utilizado en industrias de procesamiento de recubrimiento como La aplicación de energía solar fotovoltaica, la óptica, la fotónica, la electrónica, las células solares, decoración y otro tipo ZhongNuo alimentación de los materiales utilizados en el blanco de sputtering, recubrimiento de película delgada, IC, PVD satinado, de película delgada de óptica, la comunicación óptica (Óxido de cerámica, metales, nitruro Boride Silicide Antimonide,,, el fluoruro, Selenide, sulfuro, Telluride) sputtering meta. La cerámica, recubrimiento de película delgada de película delgada, ópticos, eléctricos, PVD de película delgada de película delgada, de película delgada de superconductores de película delgada, de protección, la superficie de película delgada, IC recubrimiento, revestimiento de evaporación al vacío, revestimiento de color, óptica de la comunicación, esmaltado, mostrar la industria La mayoría de los materiales pueden ser ofrecidos en polvo, protuberancia, pellet, varillas, hoja, pastillas, discos, la placa, el tubo de la prensa caliente o frío pulse o vacío sinterizado. Pureza: 99% a 99,999% Sólo hemos enumerado los más populares de material. No dude contactar con nosotros para cualquier requisito especial en cualquier momento, trataremos de responder por usted lo antes posible. El óxido: Al2O3, Al2O3-GE, Al2O3-ZnO, AZO, Al-ZnO, Al2O3-ZrB2 Sb2O3, Sb2O3-SnO2, ATO, Bi2O3,CaO, CeO2, CeO2-ZrO2, Cr2O3, CuO, Cu2O CuAlO2 CuO-ZnO, Gerente de Operaciones,DY2O3, EU2O3, Er2O3, Gd2O3, GEO2, Ga2O3, Ga2O3-ZnO, HO2O3, HfO2 HfO2-S2O3, HfO2-CaO, FeO, Fe3O4, Fe2O3, en2O3, en2O3-SnO2, Ito, en2O3-V, La2O3, Lu2O3, MgO, MnO2-CoO, MoO3, Nb2Ox, Nb2O5-TiO2, NiO, VO2, V2O5, Pr6O11, PbTiO3 PbZrO, SiO3, SiO2, SiO2-ZnS, PbZrTiO3, SM2O3, SnO2, Sc2O3, TiO, Ti2O3, TiO2, Ti3O5, TA2O5, TB4O7, Tm2O3, WO3, WO3-Li2O, Y2O3, yb2O3, ZrO2, ZnO. Intermetallic compuestos: Al-ZnO Al-ZnS Al-ZrB2, AG-WS2, B-SiO2, Cu-ZnBaF, S, Cr-SiGe-Al O2O3, Li-WO3, S, Mn-ZnMn-ZnO MgF2 Pb-PbTiO3, SiO2-ZnS, Sn2ZnO5 Ta-Er2O3, V-A2O3, SiO-Ge Otros compuestos: SnO2 Al2O3, CdSnO2, ZnO In2O3, ZnO-MgO, Sn2ZnO5, Sc2O3-ZrO2-NiO, Y2O3-ZrO2-Ni, ZrO2-S2O3, YSZ, YBCO, Gd2Zr2O7, en2O3-Ga2O3-ZnO, IZGO, en2O3-Ga2O3, la OIG, en2O3-GeO2, en2O3-TiO2, LaAlO3, La2ZrO7, La2O3-SM2O3, La2O3-Er2O3, La2O3-TM2O3, LiNbO3, LiTaO3, LiPO4 LiCoO2, TA2O5-Er2O3, TA2O5-A2O3-ZnO,BaSrTiO3, BaTiO3 PbTiO3 SrTiO3 Sulfurado: ZnS, PB2S, el PbS, WS2, MoS2, la FeS. Ce2S3, CD Silicides: Re2, CoSi2 CrSi2, Cr3is, HfSi2, FeSi2, MoSi MoSi222 NbSi WSi2, el VSi2, V3is, NiSi2, TA5IE2, TaSi2, TA3IE5, Ti5IE3, TiSi2 Ti3SiC2, WSi2 ZrSi2. De nitruro de: AlN, Mn, la CrN, CuN, Si3N4, estaño, canela, VN, NbN, HfN, ZrN Borides: Cu3B2, CrB2, Cr2B, el CeB6 DyB6, GdB6, LaB6, ReB2, TiB2 Tab2, MoB2, en VB2, HfB2, Mo2B5, el plumín, NbB, W2B5, W2B, BM, ZrB2. El carburo: BC, B4C, CrC, Cr3C2, CoC, SiC, TiC, Ti2C, Ti3SiC2, TaC, VC, NbC, Ni3C2, Mo2C, el HfC, WC, la ZrC Antimonide: InSb, GaSb GeSb, Selenide: InSe, In2Sb, Bi2se,,, CdSe PbSe CdSe Telluride: CdTe,,, SbTe PbTe ZnTe, Sb2TE3, la mordida, Bi2TE3, MnTe Flúor: MgF2 FA3 YbF3, ALF3, LiF, BaF Otro compuesto: SnAs Los métodos de producción: sínter de vacío, vacío de la prensa caliente, caliente prensa isostática (HIP), el frío prensa isostática (CIP), la pulverización, proceso de colada a presión Maquinaria: equipo de prensa caliente, el equipo de la laminación en frío/caliente, caliente/fría prensa isostática de equipo, equipos de colada al vacío, la creación de equipos, rectificadora de superficie de precisión, girar la máquina |